赛灵思最新发布的UltraScale16nm系列FPGA3DIC和MPSoC介绍免费猫

赛灵思最新发布的UltraScale+16nm系列FPGA、3D IC和MPSoC介绍 - FPGA/CPLD - 电子工程网

在赛灵思 20nm UltraScale MT 系列成功基础上，赛灵思现又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC，凭借新型存储器、3D-on-3D 和多处理 SoC（MPSoC）技术，再次实现了遥遥领先一代的价值优势。此外，为了实现更高的性能和集成度，UltraScale+ 系列还采用了全新的互联优化技术——SmartConnect。这些新的器件进一步扩展了赛灵思的 UltraScale 产品系列（现在从 20nm 跨越至 16nm FPGA、SoC 和 3D IC 器件），同时利用台积公司的 16FF+ FinFET 3D 晶体管技术大幅提升了性能功耗比。由于该系列采用业经验证的 20nm UltraScale 架构、Vivado 设计工具以及全球首屈一指的服务代工厂台积公司的 16nmFF+ 技术，赛灵思实现了具有最低风险和最大价值的 FinFET 可编程技术。

通过系统级的优化，UltraScale+ 所提供的价值远远超过了传统工艺节点移植所带来的价值，系统级性能功耗比相比 28nm 器件提升了 2 至 5 倍，还实现了遥遥领先的系统集成度和智能化，以及最高级别的保密性和安全性。

新扩展的赛灵思 UltraScale+ FPGA 产品组合包含赛灵思市场领先的 Kintex UltraScale+ FPGA、Virtex UltraScale+ FPGA 以及 3D IC 系列，而 Zynq UltraScale+ 系列则包含业界首款全可编程MPSoC。凭借该产品组合，赛灵思能满足各种下一代应用需求，包括 LTE Advanced 与早期 5G无线、Tb 级有线通信、汽车驾驶员辅助系统以及工业物联网（IoT）应用等。

UltraScale+ FPGA 和 3D IC

赛灵思选用了业界性能最高的 16nm FinFET+ 技术，并与全球首屈一指的服务代工厂台积公司开展通力合作，台积公司预计于 2015 年推出 50 多款 16nmFF+ 流片。采用 FinFET，单就平面提升而言，UltraScale+ FPGA 系统的系统级性能功耗比就能提高 2 倍。

UltraScale+ 产品可解决高强度处理任务中最大的瓶颈问题 —存储器接口问题。这些新型存储器增强型可编程器件包涵 UltraRAM，容量高达 432Mb。UltraRAM 可提供最佳系统功耗、灵活性和可预见的性能，同时能取代外部存储器，从而降低系统材料清单（BOM）总成本。采用 UltraRAM，不仅能让典型设计的系统级性能功耗比提升至少 25%，而且还能大幅提升存储器密集型设计的性能、显著降低功耗及材料清单（BOM）成本。

赛灵思专门针对 FPGA 开发了一项基于工具的互联优化技术 SmartConnect。这项技术能够根据特定设计的吞吐量、时延和面积要求自动优化互联，同时提供最佳性能功耗比，从而解决系统级 IP互联瓶颈。SmartConnect 还能智能连接不同接口类型，根据特定应用要求匹配合适的互联方案。仅凭这项技术就能提升系统级性能功耗比和缩减面积 20% 到 30%。

高端 UltraScale+ 系列集合了 3D 晶体管和赛灵思第三代 3D IC 的组合功耗优势。正如 FinFET 相比平面晶体管实现性能功耗比非线性提升一样，3D IC 相比单芯片器件也能实现系统集成度和带宽功耗比的非线性提升。

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